● 打压还原集成一体化，解决击穿在传统工艺中生产效率低问题

   ● 国内和国际上最大的40T单炉多晶硅电源系统

   ● 除采用传统硅调功器以外，力源新创的IGBT模式，比起传统的硅调功器，具有以下 优势：  

            * 功率因数高，可达0.95以上，解决了传统硅调功器需要SVG功率因数补偿装置

            * 解决了硅调功器三相不平衡的问题

            * 设备配置更简洁更简单

            * 效率更高，比传统硅调功器高2%

            *IGBT开关频率15KHZ，控制速度更快

   ●  具有快速限流技术，避免原来容易出现跳闸现象

   ● 输入电压                    三相AC10kV±10%   50±1Hz

   ● 交流输出                    三相变压器输出9绕组分别单独控制

   ● 启动打压电压              12KV ，可定制

   ● 还原输出电流              0～4600A，可定制

   ● 还原输出电压              0～2800V，可定制

   ● 稳流精度                    ≤±0.2%

   ● 功率因数                    SCR最大电流下≥0.92；IGBT全范围≥0.95

   ● SCR变压器二次侧每相输出档位    5档

   ● IGBT模式档位             2档

   ● SCR控制方式              每组负载5组反并联晶闸管倒级换档及调压加2组反并联晶闸管打压控制

   ● IGBT控制方式             PWM 斩波方式

   ● 保护功能                    过压、过流、欠压、短路、过热等多项保护功能

   ● 冷却方式                    水冷/风冷可选

   ● 控制方式                    RS485、CAN、以太网等方式可选

   ● 外形尺寸                    根据客户需求定制